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BYV32-200G

BYV32-200G ONSEMI

byv32-200-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 0.6mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details BYV32-200G ONSEMI

Description: ONSEMI - BYV32-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BYV32, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BYV32-200G BYV32-200G Hersteller : ONSEMI byv32-200-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 0.6mA
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BYV32-200G BYV32-200G Hersteller : ON Semiconductor byv32200d.pdf Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BYV32-200G BYV32-200G Hersteller : ON Semiconductor byv32200d.pdf Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BYV32-200G BYV32-200G Hersteller : onsemi BYV32-200-D.PDF Rectifiers 200V 16A UltraFast
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BYV32-200G BYV32-200G Hersteller : onsemi byv32-200-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
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50+1.45 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BYV32-200G BYV32-200G Hersteller : ON Semiconductor 399byv32-200-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1870 Stücke:
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BYV32-200G BYV32-200G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014594757-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BYV32-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYV32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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BYV32-200G BYV32-200G Hersteller : ON Semiconductor byv32200d.pdf Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BYV32-200G BYV32-200G Hersteller : ON Semiconductor byv32200d.pdf Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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