BYV32-200G ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 3.44 EUR |
| 108+ | 1.62 EUR |
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Technische Details BYV32-200G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BYV32-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Durchlassstoßstrom: 100A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BYV32, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote BYV32-200G nach Preis ab 1.73 EUR bis 8.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BYV32-200G | onsemi |
 Rectifiers 200V 16A UltraFast |
auf Bestellung 1942 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYV32-200G | onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V |
auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYV32-200G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BYV32-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 35 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYV32-200G | ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; Ifsm: 100A; TO220AB; tube; Ir: 600uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AB Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.15V Reverse recovery time: 35ns Leakage current: 0.6mA |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BYV32-200G |
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Hersteller: onsemi
Rectifiers 200V 16A UltraFast
Rectifiers 200V 16A UltraFast
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.07 EUR |
| 10+ | 3.47 EUR |
| 100+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.62 EUR |
| 2400+ | 1.95 EUR |
| 6000+ | 1.73 EUR |
| BYV32-200G |
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.25 EUR |
| 10+ | 4.74 EUR |
| 50+ | 3.65 EUR |
| 100+ | 3.31 EUR |
| 500+ | 2.7 EUR |
| BYV32-200G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BYV32-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYV32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - BYV32-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYV32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.62 EUR |
| 51+ | 4.59 EUR |
| 100+ | 3.26 EUR |
| BYV32-200G |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; Ifsm: 100A; TO220AB; tube; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.15V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 0.6mA
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; Ifsm: 100A; TO220AB; tube; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.15V
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 0.6mA
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)