
BYV32-200G ONSEMI

Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 16A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Leakage current: 0.6mA
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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35+ | 2.07 EUR |
38+ | 1.89 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
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Technische Details BYV32-200G ONSEMI
Description: ONSEMI - BYV32-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BYV32, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BYV32-200G nach Preis ab 1.13 EUR bis 3.45 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BYV32-200G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; tube; Ifsm: 100A; TO220AB; Ir: 600uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 16A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: tube Reverse recovery time: 35ns Leakage current: 0.6mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BYV32-200G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYV32-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYV32-200G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V |
auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYV32-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYV32-200G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV32 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYV32-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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