BYV32-200G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; Ifsm: 100A; TO220; Ufmax: 1.15V
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 0.6mA
Load current: 16A
Max. forward voltage: 1.15V
Max. off-state voltage: 200V
Case: TO220
Type of diode: switching
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 35+ | 2.04 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BYV32-200G ONSEMI
Description: ONSEMI - BYV32-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BYV32, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BYV32-200G nach Preis ab 2.02 EUR bis 4.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BYV32-200G | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 16A; Ifsm: 100A; TO220; Ufmax: 1.15V Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 0.6mA Load current: 16A Max. forward voltage: 1.15V Max. off-state voltage: 200V Case: TO220 Type of diode: switching Semiconductor structure: common cathode; double Mounting: THT |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BYV32-200G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BYV32-200G | Hersteller : onsemi |
Rectifiers 200V 16A UltraFast |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BYV32-200G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BYV32-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 35 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYV32 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
BYV32-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
BYV32-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
BYV32-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |