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BYV32E-100,127

BYV32E-100,127 WeEn Semiconductors

byv32e-100.pdf BYV32E-100.pdf Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 137A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.85V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
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Technische Details BYV32E-100,127 WeEn Semiconductors

Description: DIODE ARRAY GP 100V 20A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V.

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Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
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Features of semiconductor devices: ultrafast switching
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Case: SOT78; TO220AB
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BYV32E-100,127 Hersteller : NXP Semiconductors byv32e-100.pdf BYV32E-100.pdf Rectifier Diode Switching 100V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
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Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
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