BYW29-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 1.72 EUR |
| 50+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 500+ | 0.66 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2000+ | 0.63 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BYW29-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - BYW29-200-E3/45 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 25 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote BYW29-200-E3/45 nach Preis ab 0.65 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYW29-200-E3/45 | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt |
auf Bestellung 4477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BYW29-200-E3/45 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYW29-200-E3/45 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 25 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
BYW29-200-E3/45 Produktcode: 155970
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
 |
BYW29-200-E3/45 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
BYW29-200-E3/45 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
BYW29-200-E3/45 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Case: TO220AC Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Max. forward impulse current: 100A Reverse recovery time: 25ns Capacitance: 45pF Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Max. forward voltage: 0.8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
BYW29-200-E3/45 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Case: TO220AC Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Max. forward impulse current: 100A Reverse recovery time: 25ns Capacitance: 45pF Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Max. forward voltage: 0.8V |
Produkt ist nicht verfügbar |