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BYW29-200G

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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle

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Technische Details BYW29-200G

  • Diode
  • Diode Type:Fast Recovery
  • Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:200V
  • Forward Current, If(AV):8A
  • Forward Surge Current Max, Ifsm:100A
  • Reverse Recovery Time, trr:35ns
  • Forward Voltage Max, VF:1.3V

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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : ON Semiconductor byw29-d.pdf Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : ON Semiconductor byw29-d.pdf Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : ONSEMI BYW29-200G.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : onsemi byw29-d.pdf Rectifiers 200V 8A UltraFast
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : onsemi byw29-d.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 8A TO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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BYW29-200G BYW29-200G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013215132-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BYW29-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW29
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BYW29-200G Hersteller : On Semiconductor BYW29-D.pdf UltraFast 8.0A 200V TO-220 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
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Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Abmessungen: -40...+105°C
Lebensdauer: 10х16mm
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100uF 25V ECR 6,3x11mm (ECR101M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 10 St.
erwartet: 20000 St.
20000 St. - erwartet 10.08.2026
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100uF 10V ECR 5x11mm (ECR101M10B-Hitano)
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Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 10387 St.
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9888 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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