BYW29-200G ON Semiconductor
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Technische Details BYW29-200G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BYW29-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220B, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYW29, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BYW29-200G nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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BYW29-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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BYW29-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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BYW29-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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BYW29-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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BYW29-200G | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Reverse recovery time: 35ns Heatsink thickness: 1.14...1.39mm |
auf Bestellung 1163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYW29-200G | Hersteller : onsemi |
Rectifiers 200V 8A UltraFast |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYW29-200G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE STANDARD 200V 8A TO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
auf Bestellung 2632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYW29-200G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BYW29-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220B Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW29 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BYW29-200G Produktcode: 58309
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