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BYW51-200G

BYW51-200G ON Semiconductor

byw51-200-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details BYW51-200G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Durchlassstoßstrom: 100A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 970mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BYW51, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BYW51-200G BYW51-200G ON Semiconductor byw51-200-d.pdf Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BYW51-200G BYW51-200G onsemi byw51-200-d.pdf Rectifiers 200V 16A UltraFast
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BYW51-200G BYW51-200G onsemi byw51-200-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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BYW51-200G BYW51-200G ONSEMI ONSM-S-A0014467243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 970mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYW51
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
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Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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BYW51-200G ONSM-S-A0014467243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 970mV
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Periodische Spitzensperrspannung: 200V
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