BYW51-200G ON Semiconductor
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Technische Details BYW51-200G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 970mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BYW51, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BYW51-200G nach Preis ab 0.97 EUR bis 3.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BYW51-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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BYW51-200G | Hersteller : onsemi |
Rectifiers 200V 16A UltraFast |
auf Bestellung 5241 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYW51-200G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYW51-200G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BYW51-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, zweifach, 200 V, 16 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 970 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 970mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BYW51 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYW51-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 16A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 35150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BYW51-200G | Hersteller : ONSEMI |
BYW51-200G THT universal diodes |
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BYW51-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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BYW51-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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BYW51-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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