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BYW76RAS15-10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byw72.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A
Packaging: Bulk
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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Technische Details BYW76RAS15-10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A, Packaging: Bulk, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 3A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.

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