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BYW80-200G

BYW80-200G ON Semiconductor

byw80-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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Technische Details BYW80-200G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BYW80-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220B, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYW80, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : ON Semiconductor byw80-d.pdf Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868868017BA6A745&compId=BYW80-200G.PDF?ci_sign=56b60dde4211bdb98c10afa8426444b809616a8d Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Mounting: THT
Case: TO220AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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58+1.24 EUR
67+1.07 EUR
83+0.86 EUR
88+0.82 EUR
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868868017BA6A745&compId=BYW80-200G.PDF?ci_sign=56b60dde4211bdb98c10afa8426444b809616a8d Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 16A
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Mounting: THT
Case: TO220AC
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : onsemi byw80-d.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 8A TO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 22 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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11+1.67 EUR
50+0.88 EUR
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2000+0.71 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : onsemi byw80-d.pdf Rectifiers 200V 8A UltraFast
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2+2.04 EUR
10+1.14 EUR
100+0.94 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.8 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013339595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BYW80-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW80
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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