BYW80-200G

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Produktcode: 101730
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Technische Details BYW80-200G

  • Diode
  • Diode Type:Fast Recovery
  • Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:200V
  • Forward Current, If(AV):8A
  • Forward Surge Current Max, Ifsm:100A
  • Reverse Recovery Time, trr:35ns
  • Forward Voltage Max, VF:1.25V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : ON Semiconductor byw80-d.pdf Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : ON Semiconductor byw80-d.pdf Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : ON Semiconductor byw80-d.pdf Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : ONSEMI BYW80-200G.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 35ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Case: TO220AC
Max. load current: 16A
Heatsink thickness: 1.15...1.39mm
Reverse recovery time: 35ns
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Mindestbestellmenge: 81
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : onsemi byw80-d.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 8A TO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 22 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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12+1.57 EUR
50+0.8 EUR
100+0.77 EUR
500+0.7 EUR
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Mindestbestellmenge: 12
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : onsemi byw80-d.pdf Rectifiers 200V 8A UltraFast
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2+2.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013339595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BYW80-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW80
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : ON Semiconductor byw80-d.pdf Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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BYW80-200G BYW80-200G Hersteller : On Semiconductor BYW80-D.pdf Ultrafast 8A, 200V, 35ns, TO-220AC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
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