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BYWF29-200-E3/45

BYWF29-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byw29200.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
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Technische Details BYWF29-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Supplier Device Package: ITO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 8A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
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