BZD17C11P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 800MW DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BZD17C11P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 800MW DO219AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Power - Max: 800 mW, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BZD17C11P-E3-08 | Vishay Semiconductors |
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219 ECO-E3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BZD17C11P-E3-08 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219 ECO-E3
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