BZD17C13P-E3-08 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.61 EUR |
| 10+ | 0.43 EUR |
| 100+ | 0.22 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 9000+ | 0.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BZD17C13P-E3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE ZENER 13V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V.
Weitere Produktangebote BZD17C13P-E3-08
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BZD17C13P-E3-08 | Hersteller : Vishay |
 Silicon planar Zener diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
BZD17C13P-E3-08 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 13V 800MW DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |