BZD17C47P-E3-08 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.68 EUR |
| 10+ | 1.15 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details BZD17C47P-E3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 36 V.
Weitere Produktangebote BZD17C47P-E3-08
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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BZD17C47P-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 36 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BZD17C47P-E3-08 |
|
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 36 V
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
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