
BZD27B4V3P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 4.3V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V
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Anzahl | Preis |
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Technische Details BZD27B4V3P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V, Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Part Status: Active, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V.
Weitere Produktangebote BZD27B4V3P-M3-08 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.74 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BZD27B4V3P-M3-08 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Part Status: Active Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V |
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BZD27B4V3P-M3-08 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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