BZD27C12P-E3-08 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 0.18 EUR |
| 22+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 5000+ | 0.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BZD27C12P-E3-08 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - BZD27C12P-E3-08 - Zener-Diode, 12 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BZD27C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Zener-Spannung, nom.: 12V, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote BZD27C12P-E3-08 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZD27C12P-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
BZD27C12P-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V |
auf Bestellung 27999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
BZD27C12P-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - BZD27C12P-E3-08 - Zener-Diode, 12 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZD27C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 14250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BZD27C12P-E3-08 |
|
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.26 EUR |
| 9000+ | 0.25 EUR |
| 15000+ | 0.24 EUR |
| 21000+ | 0.23 EUR |
| BZD27C12P-E3-08 |
|
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
auf Bestellung 27999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 1.26 EUR |
| 27+ | 0.79 EUR |
| 100+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| BZD27C12P-E3-08 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - BZD27C12P-E3-08 - Zener-Diode, 12 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZD27C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - BZD27C12P-E3-08 - Zener-Diode, 12 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZD27C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 14250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)