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BZD27C12P-HE3-08

BZD27C12P-HE3-08 Vishay

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Hersteller: Vishay
Diode Zener Single 12V 5% 2300mW 2-Pin SMF T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BZD27C12P-HE3-08 Vishay

Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V, Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Grade: Automotive, Part Status: Active, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BZD27C12P-HE3-08 BZD27C12P-HE3-08 Vishay bzd27series.pdf Diode Zener Single 12V 5% 2300mW 2-Pin SMF T/R Automotive AEC-Q101
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BZD27C12P-HE3-08 BZD27C12P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Qualification: AEC-Q101
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