BZD27C4V7P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.31 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Mindestmenge:
3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BZD27C4V7P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V, Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Grade: Automotive, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BZD27C4V7P-HE3-08 nach Preis ab 0.29 EUR bis 2.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZD27C4V7P-HE3-08 | Vishay Semiconductors |
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3 |
auf Bestellung 25766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BZD27C4V7P-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Grade: Automotive Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BZD27C4V7P-HE3-08 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
auf Bestellung 25766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.26 EUR |
| 10+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| 2500+ | 0.31 EUR |
| 5000+ | 0.29 EUR |
| BZD27C4V7P-HE3-08 |
|
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)