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BZD27C56P-HE3-08

BZD27C56P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bzd27series.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 56V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 43 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.32 EUR
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Technische Details BZD27C56P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 56V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V, Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Part Status: Active, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 43 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BZD27C56P-HE3-08 BZD27C56P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 56V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 43 V
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BZD27C56P-HE3-08 BZD27C56P-HE3-08 Vishay Semiconductors bzd27series.pdf Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
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Description: DIODE ZENER 56V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
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Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 43 V
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