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BZT52B10-G RHG

BZT52B10-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

pdf.php?pn=BZT52B10-G Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 7 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.07 EUR
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Technische Details BZT52B10-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±2%, Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V, Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 410 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 7 V.

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BZT52B10-G RHG BZT52B10-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BZT52B10-G Description: DIODE ZENER 10V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 7 V
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BZT52B10-G RHG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR pdf.php?pn=BZT52B10-G BZT52B10-G-RHG SMD Zener diodes
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BZT52B10-G RHG BZT52B10-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor bzt52b2v4-g20series_h2002.pdf Zener Diode Single 10V 2% 20Ohm 410mW 2-Pin SOD-123 T/R
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BZT52B10-G RHG BZT52B10-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor BZT52B2V4_G_SERIES_H2002-1918049.pdf Zener Diodes 410mW, 2%, Small Signal Zener Diode
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