BZT52B20-G RHG

BZT52B20-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation


BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BZT52B20-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE ZENER 20V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Power - Max: 410 mW, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±2%.

Weitere Produktangebote BZT52B20-G RHG nach Preis ab 0.094 EUR bis 0.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BZT52B20-G RHG BZT52B20-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Description: DIODE ZENER 20V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+0.39 EUR
76+0.23 EUR
121+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH