BZT52B3V6-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE ZENER 3.6V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
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Technische Details BZT52B3V6-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.6V 410MW SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±2%, Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V, Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 410 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V.
Weitere Produktangebote BZT52B3V6-G RHG nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.55 EUR
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BZT52B3V6-G RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.6V 410MW SOD123 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Supplier Device Package: SOD-123 Power - Max: 410 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V |
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BZT52B3V6-G RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Zener Diodes 410mW, 2%, Small Signal Zener Diode |
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