BZT52B5V1-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation


BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BZT52B5V1-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Power - Max: 410 mW, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BZT52B5V1-G RHG BZT52B5V1-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
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