BZT52B5V1-G3-08 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
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| 1000+ | 0.12 EUR |
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Technische Details BZT52B5V1-G3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±2%, Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V, Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 410 mW, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV.
Weitere Produktangebote BZT52B5V1-G3-08
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BZT52B5V1-G3-08 | Hersteller : Vishay |
 Diode Zener Single 5.1V 2% 500mW 2-Pin SOD-123 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BZT52B5V1-G3-08 | Hersteller : Vishay |
Zener Diode Single 5.1V 2% 60Ohm 500mW 2-Pin SOD-123 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BZT52B5V1-G3-08 | Hersteller : VISHAY |
BZT52B5V1-G3-08 SMD Zener diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BZT52B5V1-G3-08 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms Supplier Device Package: SOD-123 Power - Max: 410 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV |
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