BZT52B5V1-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details BZT52B5V1-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V, Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 410 mW, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BZT52B5V1-G3-18 BZT52B5V1-G3-18 Vishay Semiconductors bzt52-g.pdf Zener Diodes 5.1 Volt 0.5W 2%
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