BZT52B6V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BZT52B6V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V, Power - Max: 410 mW, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BZT52B6V2-E3-08 BZT52B6V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 2 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
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