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BZT52B6V2-G RHG

BZT52B6V2-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details BZT52B6V2-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±2%, Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V, Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 410 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V.

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Preis
BZT52B6V2-G RHG BZT52B6V2-G RHG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.41W; 6.2V; 5mA; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Power dissipation: 0.41W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Zener voltage: 6.2V
Zener current: 5mA
Leakage current: 3µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
440+0.16 EUR
805+0.09 EUR
1010+0.07 EUR
1055+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 440
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BZT52B6V2-G RHG BZT52B6V2-G RHG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.41W; 6.2V; 5mA; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Power dissipation: 0.41W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Zener voltage: 6.2V
Zener current: 5mA
Leakage current: 3µA
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
440+0.16 EUR
805+0.09 EUR
1010+0.07 EUR
1055+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 440
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BZT52B6V2-G RHG BZT52B6V2-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+0.39 EUR
75+0.24 EUR
120+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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BZT52B6V2-G RHG BZT52B6V2-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor bzt52b2v4-g20series_h2002.pdf Zener Diode Single 6.2V 2% 10Ohm 410mW 2-Pin SOD-123 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BZT52B6V2-G RHG BZT52B6V2-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Zener Diodes 410mW, 2%, Small Signal Zener Diode
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