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BZT52B6V2-G RHG

BZT52B6V2-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.076 EUR
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Technische Details BZT52B6V2-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V, Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 410 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V.

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BZT52B6V2-G RHG BZT52B6V2-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
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BZT52B6V2-G RHG BZT52B6V2-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor bzt52b2v4-g20series_h2002.pdf Zener Diode Single 6.2V 2% 10Ohm 410mW 2-Pin SOD-123 T/R
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BZT52B6V2-G RHG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf BZT52B6V2-G-RHG SMD Zener diodes
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951+0.075 EUR
1007+0.071 EUR
3000+0.068 EUR
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BZT52B6V2-G RHG BZT52B6V2-G RHG Hersteller : Taiwan Semiconductor BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Zener Diodes 410mW, 2%, Small Signal Zener Diode
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