BZT52B6V8 RHG Taiwan Semiconductor
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Technische Details BZT52B6V8 RHG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123F, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V, Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123F, Power - Max: 500 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 4 V.
Weitere Produktangebote BZT52B6V8 RHG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BZT52B6V8 RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 Diode Zener Single 6.8V 2% 500mW 2-Pin SOD-123F T/R |
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BZT52B6V8 RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Diode Zener Single 6.8V 2% 500mW 2-Pin SOD-123F T/R |
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BZT52B6V8 RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Diode Zener Single 6.8V 2% 500mW 2-Pin SOD-123F T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BZT52B6V8 RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123F Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 4 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BZT52B6V8 RHG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Zener Diodes Zener 410mW 2% 6V8 |
Produkt ist nicht verfügbar |