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BZT52B8V2-E3-08

BZT52B8V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bzt52.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6 V
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Technische Details BZT52B8V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±2%, Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V, Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Part Status: Active, Power - Max: 410 mW, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6 V.

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BZT52B8V2-E3-08 BZT52B8V2-E3-08 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6 V
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