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BZT52B9V1-G3-08

BZT52B9V1-G3-08 Vishay Semiconductors

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Hersteller: Vishay Semiconductors
Zener Diodes 9.1 Volt 0.5W 2%
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Technische Details BZT52B9V1-G3-08 Vishay Semiconductors

Description: DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7 V, Power - Max: 410 mW, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BZT52B9V1-G3-08 BZT52B9V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52-g.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7 V
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
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BZT52B9V1-G3-08
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7 V
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
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