BZT52C33-G3-18

BZT52C33-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BZT52C33-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V, Power - Max: 410 mW, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR).

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BZT52C33-G3-18 BZT52C33-G3-18 Hersteller : Vishay Semiconductors bzt52g.pdf Zener Diodes 33 Volt 0.41W 5%
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