BZT52C33-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
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Technische Details BZT52C33-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V, Power - Max: 410 mW, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±5%.
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BZT52C33-HE3-08 | Vishay Semiconductors |
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| BZT52C33-HE3-08 |
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