BZT52C33-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BZT52C33-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V, Power - Max: 300 mW, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BZT52C33-HE3_A-18 | Vishay |
Zener Diodes ZENER DIODE SOD123 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BZT52C33-HE3_A-18 |
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Hersteller: Vishay
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