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BZT52C5V1-G3-08 Vishay Semiconductors


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Hersteller: Vishay Semiconductors
Zener Diodes 5.1 Volt 0.41W 5%
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Technische Details BZT52C5V1-G3-08 Vishay Semiconductors

Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±5%, Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V, Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Part Status: Active, Power - Max: 410 mW, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BZT52C5V1-G3-08 BZT52C5V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52-g.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
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BZT52C5V1-G3-08 bzt52-g.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 800 mV
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