BZT52C8V2-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details BZT52C8V2-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6 V, Power - Max: 410 mW, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BZT52C8V2-HE3-18 | Vishay Semiconductors |
Zener Diodes 8.2 Volt 0.41W 5% AUTO |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BZT52C8V2-HE3-18 |
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