Technische Details BZT55B4V7 L1G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW MINI MELF, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA, Power - Max: 500 mW, Supplier Device Package: Mini MELF, Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).
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BZT55B4V7 L1G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW MINI MELFCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Power - Max: 500 mW Supplier Device Package: Mini MELF Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) |
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