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BZT55B4V7 L1G

BZT55B4V7 L1G Taiwan Semiconductor

BZT55B2V4%20SERIES_I2301.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Zener Diodes M500mW, 2%, Small Signal Zener Diode
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Technische Details BZT55B4V7 L1G Taiwan Semiconductor

Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW MINI MELF, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA, Power - Max: 500 mW, Supplier Device Package: Mini MELF, Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BZT55B4V7 L1G BZT55B4V7 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B2V4%20SERIES_I2301.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW MINI MELF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: Mini MELF
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BZT55B4V7 L1G BZT55B4V7 L1G Taiwan Semiconductor 29090161400350bzt55b2v420series_h1610.pdf Zener Diode Single 4.7V 2% 60Ohm 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R
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BZT55B4V7 L1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW MINI MELF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: Mini MELF
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
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Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
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Zener Diode Single 4.7V 2% 60Ohm 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R
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