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BZW06-33B R0

BZW06-33B R0 TAIWAN SEMICONDUCTOR

BZW06-33B-R0.pdf
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO204AC; 600W
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO204AC
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
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Technische Details BZW06-33B R0 TAIWAN SEMICONDUCTOR

Category: Bidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO204AC; 600W, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 33.3V, Breakdown voltage: 39V, Max. forward impulse current: 11.1A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: DO204AC, Mounting: THT, Leakage current: 1µA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BZW06-33B R0 BZW06-33B R0 Taiwan Semiconductor ESD Protection Diodes / TVS Diodes 600W, 42.1V, -%, Bidirectional, TVS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
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BZW06-33B R0
BZW06-33B R0
Hersteller: Taiwan Semiconductor
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 600W, 42.1V, -%, Bidirectional, TVS
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