BZW50-68B STMicroelectronics
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.51 EUR |
| 10+ | 3.73 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 2.11 EUR |
| 1000+ | 1.99 EUR |
| 2500+ | 1.97 EUR |
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Technische Details BZW50-68B STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BZW50-68B - TVS-Diode, BZW50, Bidirektional, 68 V, 121 V, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 75.6V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 75.6V, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 68V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW, TVS-Polarität: Bidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BZW50, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 121V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BZW50-68B nach Preis ab 1.84 EUR bis 2.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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BZW50-68B | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - BZW50-68B - TVS-Diode, BZW50, Bidirektional, 68 V, 121 V, Axial bedrahtet, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 75.6V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 75.6V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 68V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZW50 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 121V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BZW50-68B | Hersteller : EIC Semiconductor |
TVS Diode Single Bi-Dir 68V 5KW 2-Pin Case D-6 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZW50-68B Produktcode: 108714
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : STM |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive) |
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BZW50-68B | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode TVS Single Bi-Dir 68V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
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BZW50-68B | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode TVS Single Bi-Dir 68V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BZW50-68B | Hersteller : EIC Semiconductor |
TVS Diode Single Bi-Dir 68V 5KW 2-Pin Case D-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BZW50-68B | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TVS DIODE 68VWM 157VC R6 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 1500pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 382A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 68V Supplier Device Package: R-6 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 75.6V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 157V Power - Peak Pulse: 5000W (5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
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BZW50-68B | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TVS DIODE 68VWM 157VC R6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 1500pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 382A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 68V Supplier Device Package: R-6 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 75.6V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 157V Power - Peak Pulse: 5000W (5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
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