BZX884-B51,315 NXP Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BZX884-B51,315 NXP Semiconductors
Description: DIODE ZENER 51V 250MW DFN1006-2, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-882, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V, Impedance (Max) (Zzt): 180 Ohms, Supplier Device Package: DFN1006-2, Grade: Automotive, Power - Max: 250 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 35.7 V, Qualification: AEC-Q100.
Weitere Produktangebote BZX884-B51,315 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BZX884-B51,315 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Diode Zener Single 51V 2% 250mW Automotive AEC-Q101 2-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX884-B51,315 | Hersteller : Nexperia |
Zener Diodes BZX884-B51/SOD882/SOD2 |
auf Bestellung 4373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BZX884-B51,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE ZENER 51V 250MW DFN1006-2 Tolerance: ±2% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V Impedance (Max) (Zzt): 180 Ohms Supplier Device Package: DFN1006-2 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 35.7 V Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 9973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BZX884-B51,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE ZENER 51V 250MW DFN1006-2 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V Impedance (Max) (Zzt): 180 Ohms Supplier Device Package: DFN1006-2 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 35.7 V Qualification: AEC-Q100 |
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