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BZX884-B51,315

BZX884-B51,315 NXP Semiconductors

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Hersteller: NXP Semiconductors
Diode Zener Single 51V 2% 250mW Automotive AEC-Q101 2-Pin DFN T/R
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Technische Details BZX884-B51,315 NXP Semiconductors

Description: DIODE ZENER 51V 250MW DFN1006-2, Qualification: AEC-Q100, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 35.7 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DFN1006-2, Impedance (Max) (Zzt): 180 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-882, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BZX884-B51,315 BZX884-B51,315 NXP Semiconductors bzx884_bc_ser.pdf Diode Zener Single 51V 2% 250mW Automotive AEC-Q101 2-Pin DFN T/R
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BZX884-B51,315 BZX884-B51,315 Nexperia USA Inc. BZX884_BC_SER.pdf Description: DIODE ZENER 51V 250MW DFN1006-2
Qualification: AEC-Q100
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 35.7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1006-2
Impedance (Max) (Zzt): 180 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 51V 250MW DFN1006-2
Qualification: AEC-Q100
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 35.7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN1006-2
Impedance (Max) (Zzt): 180 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Tolerance: ±2%
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