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BZX884B13L-HG3-08

BZX884B13L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bzx884l-series.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 300MW DFN1006-2A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Technische Details BZX884B13L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 13V 300MW DFN1006-2A, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Power - Max: 300 mW, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1006-2A, Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 0402 (1006 Metric), Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BZX884B13L-HG3-08 BZX884B13L-HG3-08 Vishay Semiconductors bzx884l-series.pdf Zener Diodes ZENER DFN1006-2A .3W 13V
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BZX884B13L-HG3-08 BZX884B13L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx884l-series.pdf Description: DIODE ZENER 13V 300MW DFN1006-2A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
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Package / Case: 0402 (1006 Metric)
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