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BZX884B33L-HG3-08

BZX884B33L-HG3-08 Vishay Semiconductors

bzx884l-series.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductors
Zener Diodes ZENER DFN1006-2A .3W 33V
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Technische Details BZX884B33L-HG3-08 Vishay Semiconductors

Description: ZENER DIODE DFN1006-2A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Power - Max: 300 mW, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1006-2A, Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 0402 (1006 Metric), Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BZX884B33L-HG3-08 BZX884B33L-HG3-08 Vishay bzx884l-series.pdf Zener Diodes ZENER DIODE DFN1006-2A2% 33V
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BZX884B33L-HG3-08 BZX884B33L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx884l-series.pdf Description: ZENER DIODE DFN1006-2A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: ZENER DIODE DFN1006-2A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006-2A
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Tolerance: ±2%
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