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C2M0040120D

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Produktcode: 173103
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed c2m0040120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed c2m0040120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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20+57.12 EUR
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C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed(CREE) C2M0040120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 54ns
Power dissipation: 330W
Gate charge: 115nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; Z-FET™
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
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C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed c2m0040120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
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C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
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30+69.44 EUR
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C2M0040120D C2M0040120D WOLFSPEED CREE-S-A0012496587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 748 Stücke:
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5+100.96 EUR
10+70.41 EUR
50+69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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C2M0040120D c2m0040120d.pdf
C2M0040120D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 258 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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C2M0040120D c2m0040120d.pdf
C2M0040120D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 739 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+65.87 EUR
5+62.48 EUR
10+59.43 EUR
20+57.12 EUR
50+55.04 EUR
100+52.72 EUR
250+51.81 EUR
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C2M0040120D c2m0040120d.pdf
C2M0040120D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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C2M0040120D C2M0040120D.pdf
C2M0040120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 54ns
Power dissipation: 330W
Gate charge: 115nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; Z-FET™
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
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2+81.57 EUR
3+71.98 EUR
10+62.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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C2M0040120D c2m0040120d.pdf
C2M0040120D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+83.17 EUR
10+79.59 EUR
25+56.29 EUR
100+53.67 EUR
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C2M0040120D Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf
C2M0040120D
Hersteller: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+92.05 EUR
10+71.9 EUR
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C2M0040120D Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf
C2M0040120D
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
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C2M0040120D CREE-S-A0012496587-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
C2M0040120D
Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+114.45 EUR
5+100.96 EUR
10+70.41 EUR
50+69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH