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C2M0040120D

Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf
Produktcode: 173103
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed(CREE) C2M0040120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+68.15 EUR
3+60.15 EUR
10+52.24 EUR
30+51.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.35 EUR
10+60.42 EUR
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C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.74 EUR
30+58.35 EUR
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C2M0040120D C2M0040120D.pdf
C2M0040120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 1.2kV
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C2M0040120D
Hersteller: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
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C2M0040120D
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
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