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Technische Details C2M0045170D Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote C2M0045170D
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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C2M0045170D | Hersteller : WOLFSPEED |
 Description: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
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| C2M0045170D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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C2M0045170D Produktcode: 125314 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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C2M0045170D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 48A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Gate charge: 188nC Technology: C2M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 70ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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C2M0045170D | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V |
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C2M0045170D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 48A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Gate charge: 188nC Technology: C2M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 70ns |
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