Weitere Produktangebote C2M0080120D nach Preis ab 37.68 EUR bis 70.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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C2M0080120D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C2M0080120D | Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +25V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C2M0080120D | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 5205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C2M0080120D | Cree/Wolfspeed |
N-канальний ПТ SIC MOSFET, Udss, В = 1 200, Id = 31,6 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000, Qg, нКл = 49,2 @ 20, Rds = 98 мОм @ 20А, 20В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: TO-247-3 ОдAnzahl je Verpackung: 30 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
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| C2M0080120D |
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Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 4+ | 56.87 EUR |
| 5+ | 55.04 EUR |
| C2M0080120D |
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Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 59.92 EUR |
| 30+ | 39.01 EUR |
| 120+ | 37.68 EUR |
| C2M0080120D |
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Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 5205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 70.38 EUR |
| 5+ | 64.26 EUR |
| 10+ | 58.29 EUR |
| 50+ | 51.32 EUR |
| 100+ | 44.36 EUR |
| C2M0080120D |
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Hersteller: Cree/Wolfspeed
N-канальний ПТ SIC MOSFET, Udss, В = 1 200, Id = 31,6 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000, Qg, нКл = 49,2 @ 20, Rds = 98 мОм @ 20А, 20В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
N-канальний ПТ SIC MOSFET, Udss, В = 1 200, Id = 31,6 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000, Qg, нКл = 49,2 @ 20, Rds = 98 мОм @ 20А, 20В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
verfügbar 1 Stücke:




