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C2M0080120D

Wolfspeed_C2M0080120D_data_sheet.pdf
Produktcode: 166109
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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C2M0080120D C2M0080120D Hersteller : Wolfspeed c2m0080120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C2M0080120D C2M0080120D Hersteller : Wolfspeed(CREE) C2M0080120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-FET™
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 32ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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3+30.96 EUR
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C2M0080120D C2M0080120D Hersteller : Wolfspeed(CREE) C2M0080120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-FET™
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 32ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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C2M0080120D C2M0080120D Hersteller : Wolfspeed c2m0080120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C2M0080120D C2M0080120D Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C2M0080120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
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10+46.66 EUR
30+31.93 EUR
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C2M0080120D C2M0080120D Hersteller : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0080120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
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30+32.78 EUR
120+31.66 EUR
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C2M0080120D C2M0080120D Hersteller : WOLFSPEED Wolfspeed_C2M0080120D_data_sheet.pdf Description: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
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C2M0080120D Hersteller : Cree/Wolfspeed Wolfspeed_C2M0080120D_data_sheet.pdf N-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3
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C2M0080120D Hersteller : Wolfspeed c2m0080120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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