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C2M0160120D

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Transistoren > MOSFET N-CH

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C2M0160120D C2M0160120D Wolfspeed c2m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C2M0160120D C2M0160120D Wolfspeed(CREE) C2M0160120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; Z-FET™
Drain current: 17.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Reverse recovery time: 23ns
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C2M0160120D C2M0160120D Wolfspeed Wolfspeed_C2M0160120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
auf Bestellung 743 Stücke:
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10+25.26 EUR
120+21.8 EUR
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C2M0160120D C2M0160120D WOLFSPEED CREE-S-A0013030231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; Z-FET™
Drain current: 17.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Reverse recovery time: 23ns
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C2M0160120D
Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
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