Weitere Produktangebote C2M0160120D nach Preis ab 13.22 EUR bis 29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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C2M0160120D | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C2M0160120D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C2M0160120D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 125W Drain current: 17.7A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC; Z-FET™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -10...25V Reverse recovery time: 23ns Gate charge: 34nC On-state resistance: 196mΩ |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C2M0160120D | Hersteller : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm |
auf Bestellung 1638 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C2M0160120D | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V |
auf Bestellung 1230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C2M0160120D | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C2M0160120D | Hersteller : CREE |
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
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| C2M0160120D | Hersteller : Wolfspeed |
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RS-485 - UART TTL преобразователь Produktcode: 147320
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Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Beschreibung: Перетворювач RS-485 - UART TTL (грозозахист, апаратний автоматичний контроль потоку (Automatic Flow Control),
Entwicklungstyp: Перетворювач інтерфейсу
Chiptyp: MAX485
Beschreibung: Перетворювач RS-485 - UART TTL (грозозахист, апаратний автоматичний контроль потоку (Automatic Flow Control),
Entwicklungstyp: Перетворювач інтерфейсу
Chiptyp: MAX485
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| ZXGD3003E6TA SOT23-6 Produktcode: 115835
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