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C2M0160120D

C2M0160120D Wolfspeed(CREE)

C2M0160120D.pdf Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 23ns
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-FET™
On-state resistance: 196mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 17.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
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Technische Details C2M0160120D Wolfspeed(CREE)

Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V.

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C2M0160120D C2M0160120D Hersteller : Wolfspeed(CREE) C2M0160120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 23ns
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-FET™
On-state resistance: 196mΩ
Power dissipation: 125W
Drain current: 17.7A
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
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C2M0160120D C2M0160120D Hersteller : Wolfspeed c2m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 90 Stücke:
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30+12.91 EUR
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C2M0160120D C2M0160120D Hersteller : Wolfspeed c2m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C2M0160120D C2M0160120D Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C2M0160120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
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C2M0160120D C2M0160120D Hersteller : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0160120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V
auf Bestellung 1230 Stücke:
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1+29 EUR
30+17.99 EUR
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C2M0160120D C2M0160120D Hersteller : WOLFSPEED CREE-S-A0013030231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 202 Stücke:
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C2M0160120D Hersteller : CREE Wolfspeed_C2M0160120D_data_sheet.pdf N-MOSFET 1200V 17.7A C2M0160120D Cree/Wolfspeed TC2M0160120D
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2
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C2M0160120D Hersteller : Wolfspeed c2m0160120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C2M0160120D C2M0160120D
Produktcode: 84501
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