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Technische Details C2M1000170D Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote C2M1000170D
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Verfügbarkeit |
Preis |
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C2M1000170D | Hersteller : WOLFSPEED |
 Description: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.9A Power dissipation: 69W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 20ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm |
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C2M1000170D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.9A Power dissipation: 69W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 20ns |
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