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C2M1000170J-TR

C2M1000170J-TR Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
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Technische Details C2M1000170J-TR Wolfspeed, Inc.

Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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C2M1000170J-TR C2M1000170J-TR Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
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C2M1000170J-TR C2M1000170J-TR Hersteller : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
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C2M1000170J-TR Hersteller : Wolfspeed c2m1000170j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
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C2M1000170J-TR Hersteller : Wolfspeed c2m1000170j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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C2M1000170J-TR Hersteller : Wolfspeed c2m1000170j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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