C3D10065E
Produktcode: 168305
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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Weitere Produktangebote C3D10065E nach Preis ab 3.46 EUR bis 8.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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C3D10065E | Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A |
auf Bestellung 1170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3D10065E | Wolfspeed, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 460.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 32A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
auf Bestellung 797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3D10065E | Wolfspeed |
Diode Schottky SiC 650V 32A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| C3D10065E |
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Hersteller: Wolfspeed
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A
SiC Schottky Diodes SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.01 EUR |
| 10+ | 7.73 EUR |
| 75+ | 3.57 EUR |
| 300+ | 3.56 EUR |
| 525+ | 3.48 EUR |
| C3D10065E |
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Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.75 EUR |
| 10+ | 5.82 EUR |
| 100+ | 4.16 EUR |
| 500+ | 3.46 EUR |
| C3D10065E |
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Hersteller: Wolfspeed
Diode Schottky SiC 650V 32A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
Diode Schottky SiC 650V 32A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)