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C3M0015065D

C3M0015065D Wolfspeed

c3m0015065d.pdf Hersteller: Wolfspeed
650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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Technische Details C3M0015065D Wolfspeed

Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V, Power Dissipation (Max): 416W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V.

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C3M0015065D C3M0015065D Hersteller : Wolfspeed c3m0015065d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0015065D C3M0015065D Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0015065D_data_sheet.pdf MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
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