Technische Details C3M0021120D Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 469W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote C3M0021120D nach Preis ab 25.1 EUR bis 43.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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C3M0021120D | Wolfspeed, Inc. |
 Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 469W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +15V, -4V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0021120D | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| C3M0021120D |
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Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 43.03 EUR |
| 30+ | 27.76 EUR |
| 120+ | 25.1 EUR |
| C3M0021120D |
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Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
Description: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)