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C3M0021120K

C3M0021120K Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_C3M0021120K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 2215 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+40.61 EUR
30+25.6 EUR
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Technische Details C3M0021120K Wolfspeed, Inc.

Description: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 469W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0021120K C3M0021120K Wolfspeed(CREE) C3M0021120K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 200A; 469W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 34ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+44.71 EUR
5+42.83 EUR
10+36.95 EUR
30+33.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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C3M0021120K C3M0021120K Wolfspeed c3m0021120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+52.61 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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C3M0021120K C3M0021120K Wolfspeed c3m0021120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+57.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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C3M0021120K C3M0021120K Wolfspeed c3m0021120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0021120K C3M0021120K Wolfspeed Wolfspeed_C3M0021120K_data_sheet.pdf SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 940 Stücke:
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10+41.91 EUR
120+39.27 EUR
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C3M0021120K C3M0021120K Wolfspeed c3m0021120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+68.81 EUR
10+63.49 EUR
25+53.38 EUR
50+50.05 EUR
100+45.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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C3M0021120K C3M0021120K Wolfspeed c3m0021120k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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100+48.75 EUR
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C3M0021120K C3M0021120K WOLFSPEED Wolfspeed_C3M0021120K_data_sheet.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+92.71 EUR
5+75.33 EUR
10+57.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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C3M0021120K
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 200A; 469W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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Description: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
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