C3M0021120K Wolfspeed(CREE)
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 74A; Idm: 200A; 469W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 469W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 162nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 34ns
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 37.57 EUR |
| 5+ | 35.99 EUR |
| 10+ | 31.05 EUR |
| 30+ | 28.44 EUR |
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Technische Details C3M0021120K Wolfspeed(CREE)
Description: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 469W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote C3M0021120K nach Preis ab 33 EUR bis 49.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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C3M0021120K | Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +15V, -4V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-4L Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA Power Dissipation (Max): 469W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube |
auf Bestellung 2725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0021120K | Wolfspeed |
SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET |
auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0021120K | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| C3M0021120K |
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Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 44.26 EUR |
| 30+ | 33.91 EUR |
| C3M0021120K |
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Hersteller: Wolfspeed
SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 49.77 EUR |
| 10+ | 35.22 EUR |
| 120+ | 33 EUR |
| C3M0021120K |
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Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
Description: WOLFSPEED - C3M0021120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 27 Stücke:
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