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Technische Details C3M0025065K Wolfspeed
Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V.
Weitere Produktangebote C3M0025065K nach Preis ab 29.03 EUR bis 50.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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C3M0025065K | Hersteller : Wolfspeed |
 650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
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C3M0025065K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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C3M0025065K | Hersteller : Wolfspeed |
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C3M0025065K | Hersteller : Wolfspeed |
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C3M0025065K | Hersteller : Wolfspeed |
MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET |
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| C3M0025065K | Hersteller : Wolfspeed |
C3M0025065K |
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C3M0025065K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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C3M0025065K | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V |
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