C3M0032120D Wolfspeed, Inc.
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Technische Details C3M0032120D Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 283W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.
Weitere Produktangebote C3M0032120D nach Preis ab 40.36 EUR bis 47.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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C3M0032120D | Hersteller : Wolfspeed |
SiC MOSFETs 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET |
auf Bestellung 519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0032120D | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 283W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |